Главная » В.И. Белько

Белько Виктор Иванович

Должность

Старший научный сотрудник (0.5 ставки) НИЛ моделирования физических процессов БГУ
Доцент кафедры математического моделирования и управления ФПМИ, кандидат физико-математических наук

Краткая биография

Родился в 1965 году в г. Минске.
С 1982 по 1987 гг. – студент механико-математического факультета Белорусского государственного университета.
С 1987 г. работал на кафедре математической физики Белгосуниверситета в должности ассистента, совмещая преподавательскую деятельность с научной работой под руководством доцента кафедры МФ БГУ И.Е. Мозолевского и старшего научного сотрудника лаборатории элионики НИИ Прикладных физических проблем БГУ А.Ф. Буренкова.
Защитил кандидатскую диссертацию в 1998 г. на тему «Математическое моделирование ионной имплантации на основе численного решения уравнения переноса» по специальности 05.13.18 .
С 2000 г. работает в должности доцента кафедры математической физики Белгосуниверситета, а с 2007 г. – кафедры математического моделирования и управления БГУ.

Научные интересы

Математическое моделирование процессов переноса при ионной имплантации;
Численное решение транспортных уравнений и линейная теория переноса;
Решение начально-краевых задач для уравнений типа Фоккера-Планка;
Моделирование формирования дефектов в полупроводниках с использованием разномасштабного подхода на основе методов молекулярной динамики, кинетического Монте-Карло и уравнений реакции-диффузии

Основные публикации

1. A. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko, H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // 17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials – IBMM 2010 – Canada, Montreal, August 22-27.
2. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Формирование и диффузия собственных междоузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово-химическое моделирование. Поверхность. – 2009. – № 8. С.1-5.
3. Gusakov V., Belko V.I., Dorozhkin N.N. Effect of Hydrostatic Pressure on Self-interstitial Diffusion in Si, Ge, Si<Ge> Crystals: Quantum-chemical Simulations // Solid State Phenomena. – 2008. – Vol. 131-133 .– P. 271-275.
4. Белько В.И., Бородин В.А., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н., Кондратьева О.М. Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-Карло. // III Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники» БГУ, г.Минск, 25-26 сентября 2008 года. С.145-149.
5. Белько В.И.. Математическая модель переноса примеси при ионной имплантации. Методические указания для студентов специальности «Прикладная математика». Минск: БГУ, 2007. – 26 с.
6. Belko V., Kuznetsov A.. Frenkel pair accumulation in ion- and electron-irradiated SiC// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B . – 2006. – V. 248/1. – P.77-82.
7. Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Structures and energetics of defects: a comparative study of 3C- and 4H-SiC // Nucl. Instr. Meth. B. – 2004. – V. 218 – P.74.
8. Gao F., Posselt M., Belko V., Weber W.J. Atomic Computer Simulations of Defect Migrations in 3C- and 4H-SiC // Materials Science Forum. – 2004. – V. 457-460. – P.457-460.
9. Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Atomistic study of intrinsic defect migrations in 3C-SiC // Phys. Rev. B. – 2004. – V. 69. – P.245205.
10. Posselt M., Gao F., Weber W.J., Belko V.I. A comparative study of the structure and energetics of elementary defects in 3C- and 4H-SiC // J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. – V.16. – P.1307-1323.
11. Belko V.I., Posselt M., Chagarov E. Improvement of the repulsive part of the classical interatomic potential for SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2003. – Vol.202. – P. 18-23.
12. Posselt M., Belko V.I., Chagarov E. Influence of polytypism on elementary processes of ion-beam-induced defect production in SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2001. – Vol.180. – P. 17-22.
13. Белько В.И., Комаров Ф.Ф., Мозолевский И.Е. Моделирование ионной имплантации в многослойные мишени. Микроэлектроника. – 1998. – Т. 27, N 2. ¬С.120-124.
14. Белько В.И. Мозолевский И.Е. Моделирование высокоэнергетической ионной имплантации на основе численного решения уравнения Больцмана. Поверхность. – 1994. – N 4. – С. 40-48.
15. Belko V.I. Mozolevski I.E. High-energy ion implantation simulation based on numerical solution of the Boltzmann transport equation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 1995. – Vol. 95. – P. 17-24.
16. Белько В.И., Бойко Е.Б., Буренков А.Ф., Мозолевский И.Е. Угловое и энергетическое распределение потока ионов в мишени при ионной имплантации. Поверхность. – 1992. – N 10-11. – С. 89-94.