Белько Виктор Иванович

Должность

Старший научный сотрудник (0.5 ставки) НИЛ моделирования физических процессов БГУ
Доцент кафедры математического моделирования и управления ФПМИ, кандидат физико-математических наук

Краткая биография

  • Родился в 1965 году в г. Минске.
  • С 1982 по 1987 гг. – студент механико-математического факультета Белорусского государственного университета.
  • С 1987 г. работал на кафедре математической физики Белгосуниверситета в должности ассистента, совмещая преподавательскую деятельность с научной работой под руководством доцента кафедры МФ БГУ И.Е. Мозолевского и старшего научного сотрудника лаборатории элионики НИИ Прикладных физических проблем БГУ А.Ф. Буренкова.
  • Защитил кандидатскую диссертацию в 1998 г. на тему «Математическое моделирование ионной имплантации на основе численного решения уравнения переноса» по специальности 05.13.18 .
  • С 2000 г. работает в должности доцента кафедры математической физики Белгосуниверситета, а с 2007 г. – кафедры математического моделирования и управления БГУ.

Научные интересы

  • Математическое моделирование процессов переноса при ионной имплантации;
  • Численное решение транспортных уравнений и линейная теория переноса;
  • Решение начально-краевых задач для уравнений типа Фоккера-Планка;
  • Моделирование формирования дефектов в полупроводниках с использованием разномасштабного подхода на основе методов молекулярной динамики, кинетического Монте-Карло и уравнений реакции-диффузии  

Основные публикации

  • 1. A. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko, H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // 17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials – IBMM 2010 – Canada, Montreal, August 22-27.
  • 2. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Формирование и диффузия собственных междоузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово-химическое моделирование. Поверхность. – 2009. – № 8. С.1-5.
  • 3. Gusakov V., Belko V.I., Dorozhkin N.N. Effect of Hydrostatic Pressure on Self-interstitial Diffusion in Si, Ge, Si<Ge> Crystals: Quantum-chemical Simulations // Solid State Phenomena. – 2008. – Vol. 131-133 .– P. 271-275.
  • 4. Белько В.И., Бородин В.А., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н., Кондратьева О.М. Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-Карло. // III Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники» БГУ, г.Минск, 25-26 сентября 2008 года. С.145-149.
  • 5. Белько В.И.. Математическая модель переноса примеси при ионной имплантации. Методические указания для студентов специальности «Прикладная математика». Минск: БГУ, 2007. – 26 с.
  • 6. Belko V., Kuznetsov A.. Frenkel pair accumulation in ion- and electron-irradiated SiC// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B . – 2006. – V. 248/1. – P.77-82.
  • 7. Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Structures and energetics of defects: a comparative study of 3C- and 4H-SiC // Nucl. Instr. Meth. B. – 2004. – V. 218 – P.74.
  • 8. Gao F., Posselt M., Belko V., Weber W.J. Atomic Computer Simulations of Defect Migrations in 3C- and 4H-SiC // Materials Science Forum. – 2004. – V. 457-460. – P.457-460.
  • 9. Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Atomistic study of intrinsic defect migrations in 3C-SiC // Phys. Rev. B. – 2004. – V. 69. – P.245205.
  • 10. Posselt M., Gao F., Weber W.J., Belko V.I. A comparative study of the structure and energetics of elementary defects in 3C- and 4H-SiC // J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. – V.16. – P.1307-1323.
  • 11. Belko V.I., Posselt M., Chagarov E. Improvement of the repulsive part of the classical interatomic potential for SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2003. – Vol.202. – P. 18-23.
  • 12. Posselt M., Belko V.I., Chagarov E. Influence of polytypism on elementary processes of ion-beam-induced defect production in SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2001. – Vol.180. – P. 17-22.
  • 13. Белько В.И., Комаров Ф.Ф., Мозолевский И.Е. Моделирование ионной имплантации в многослойные мишени. Микроэлектроника. – 1998. – Т. 27, N 2. ¬С.120-124.
  • 14. Белько В.И. Мозолевский И.Е. Моделирование высокоэнергетической ионной имплантации на основе численного решения уравнения Больцмана. Поверхность. – 1994. – N 4. – С. 40-48.
  • 15. Belko V.I. Mozolevski I.E. High-energy ion implantation simulation based on numerical solution of the Boltzmann transport equation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 1995. – Vol. 95. – P. 17-24.
  • 16. Белько В.И., Бойко Е.Б., Буренков А.Ф., Мозолевский И.Е. Угловое и энергетическое распределение потока ионов в мишени при ионной имплантации. Поверхность. – 1992. – N 10-11. – С. 89-94.

Учебная деятельность

Общий курс
«Функциональный анализ и интегральные уравнения»
Специальные курсы

  • Применение метода молекулярной динамики при моделировании в микроэлектронике
  • Математическое моделирование процесса ионной имплантации

Контакт

Белько Виктор Иванович

Белорусский государственный университет
пр. Независимости, 4 – 502
220030 Минск
тел.:+375(017)2095538
Belko@bsu.by

Новости
31.03.2017
ITSecurity-2017
22.02.2017
Ввод в действие новой редакции СТБ 34.101.47
21.02.2017
План семинара весна 2017
20.01.2017
Итоги NSUCRYPTO-2016
24.10.2016
План семинара осень 2016
29.08.2016
Ввод в действие СТБ 34.101.77
15.06.2016
CTCrypt-2016
19.04.2016
Криптографические стандарты: планы на 2016 год
09.03.2016
План семинара